瑞樂碳化硅載盤簡介
碳化硅載盤(也成碳化硅托盤)在半導體行業具有廣泛應用,CVD、RTP/RTA、真空濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀等,比如,在對襯底進行刻蝕時,需通過碳化硅載盤承載半導體襯底。
碳化硅載盤材質成分是純SiC(純度>99.9%),與石墨基載盤相比,其使用壽命是后者的四倍,且長期使用不變形,穩定性好,能夠耐各種強酸強堿化學試劑腐蝕(比如FH酸、濃H2SO4)。SiC載盤還具有優秀的導熱性、低膨脹系數,抗熱沖擊性佳,耐電漿沖擊性等特點。
碳化硅載盤是采用高純超細碳化硅微粉,通過靜壓工藝成型、經2450℃高溫燒結而制成??筛鶕脩粼O計圖紙要求進行外徑、厚度尺寸,穴位數量、尺寸、取片槽位置和形狀進行精加工,以滿足用戶的具體使用要求。
8基本參數
內容 | 參數 |
Material: | Pure Silicon | SiC |
Wafer Diameter: | 100/125/150/200/300mm或根據客戶要求定制 |
Wafer Thickness: | 250~750um±25um或根據客戶要求定制 |
Pocket Size & Shape: | 根據客戶要求定制 |
Pocket Depth: | 200~500um或視基盤厚度深度可調 |
Flat/or Notch: | Available |
Others: | 可加工異形槽、方形槽等;根據客戶設計要求定制 |
8主要優勢與特點
碳化硅載盤,可根據不同工藝其名稱不一樣,比如,碳化硅刻蝕盤,ICP刻蝕盤,LED刻蝕用碳化硅托盤(SIC托盤)等。其主要功能特點如下:
?耐高溫--1800℃溫度下正常使用;
?高熱導性--和石墨材料的導熱性相當;
?硬度高--硬度僅次于金剛石、立方氮化硼;
?耐腐蝕--強酸、強堿對其無任何腐蝕,抗腐蝕性優于碳化鎢和氧化鋁;
?重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近;
?不變形--極小的熱膨脹系數;
?抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化,抗熱沖擊,耐急冷急熱,性能穩定。
8典型應用
·LED芯片制造中的RTP /RTA快速高溫熱處理工藝
·CVD、MOCVD、真空磁控濺射
·刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀
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