快速退火爐RTP-SA-12產品介紹
一、簡介
1.1 概要
RTP-SA-12是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統，以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品，工藝時間短，控溫精度高，適用4-12英寸晶片。相對于傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統，其獨特的腔體設計、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟件控制系統，確保了極好的熱均勻性。
1.2 產品特點
紅外鹵素燈管加熱，冷卻采用風冷
燈管功率PID控溫，可精準控制溫度升溫，保證良好的重現性與溫度均勻性
采用平行氣路進氣方式，氣體的進入口設置在Wafer表面，避免退火過程中冷點產生，保證產品良好的溫度均勻性
大氣與真空處理方式均可選擇，進氣前氣體凈化處理
標配兩組工藝氣體，最多可擴展至6組工藝氣體
可測單晶片樣品的最大尺寸為12英寸（300×300mm）
采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施，全方位保障儀器使用安全
1.3 RTP行業應用
氧化物、氮化物生長
硅化物合金退火
砷化鎵工藝
歐姆接觸快速合金
氧化回流
其他快速熱處理工藝
離子注入激活
行業領域：
芯片制造 生物醫學 納米技術
MEMS LEDs 太陽能電池
化合物產業 ：GaAs，GaN，GaP，
GaInP，InP，SiC
光電產業：平面光波導，激光，VCSELs
二、技術規格
2.1參數
| RTP-SA-12 | |
| 最大產品尺寸 | 4-12英寸晶圓或者最大支持300×300mm產品 |
| 溫度范圍 | 室溫~1250℃ |
| 最高升溫速度 | 150℃/s |
| 溫度均勻度 | ±1% |
| 溫控方式 | 快速PID溫控 |
| 降溫速度 | 200℃/min（1000~400℃） |
| 腔體設計 | 可配置大氣常壓腔體或者真空腔體 |
| 腔體冷卻方式 | 水冷腔體，獨立水冷源控制冷卻 |
| 襯底冷卻方式 | 氮氣吹掃 |
| 工藝氣體 | MFC控制，常規兩路氣體，最大可擴充至6路氣體 |
快速退火爐RTP-300RL可制作的產品
快速退火爐RTP-300RL生產線一覽
客服1